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Effect of Mineralized Layer Topographies on Stem Cell Behavior in Microsphere Scaffold

Hou Jie , Gao Huichang , Wang Yingjun , Cheng Delin , Cao Xiaodong

材料科学技术(英) doi:10.1016/j.jmst.2016.08.013

Modifying substrates through mineralization is a popular way to improve the osteogenic performance. Screening of the best mineralization characteristics on specific substrates for stem cells is meaningful but not fully studied. In this paper, poly(lactic-co-glycolic acid)/hydroxyapatite (PLGA/HA, PH) microsphere scaffolds with superficial pores were fabricated by a low-temperature fusion method. After the mineralization in the 5× stimulated body fluid (SBF) for 0, 7, 12 and 24?h, four mineralized scaffolds (MPH-0, MPH-7, MPH-12 and MPH-24) with different apatite topographies were obtained. It was found that the surface of MPH-7 was evenly decorated with abundant micro-pores, MPH-12 with dense and plain apatite layer, and MPH-24 with small spherical bumps. The responses of mouse bone mesenchymal stem cells (mBMSCs) to the four scaffolds were further studied. The results showed that MPH-7 and MPH-24 had more obvious effects on mBMSCs attachment, proliferation and differentiation than MPH-0 and MPH-12. This work indicated that to obtain the maximum improvement, the mineralization characteristics had to be carefully chosen. This was noteworthy in the chemical modification of surfaces to form the functionalized scaffolds for bone repair.

关键词: Microsphere scaffold , Mineralization , Topography , Cell behavior

纳米复合薄膜特异电容机制探讨

程开甲 , 程漱玉 , 林东升 , 肖刚

稀有金属材料与工程

TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electron theory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性.根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制.

关键词: TFDC电子理论 , 二极层 , 大电容 , 薄膜

论位错的稳定存在

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.

关键词: 位错 , Thomas-Fermi-Dirac-Cheng , 极限尺寸

论薄膜的超导电性

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.

关键词: 超导电性 , 薄膜 , 对称破缺 , TFDC

论共晶结构的机理

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

本文是Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论对共晶机理的阐述.提出了薄膜两组元之间的化学势差和电子密度差导致系统总能量改变的新思想,给出了研究稳定共晶态的最佳尺寸和能量的方法.

关键词: Thomas-Fermi-Dirac , 共晶 , 内应力 , 化学势 , 电子密度

泡沫混凝土导热系数模型及参数修正

李翔宇 , 赵霄龙 , 郭向勇 , 曹力强

材料导报

Cheng-Vachon模型的基础上提出了一种针对由连续相和分散相组成的两相复合材料的新导热系数模型.通过引入一个新的参数,即分散相的修正体积含量来改进Cheng-Vachon模型不适用于分散相体积含量较大的缺点.使用新的导热系数模型预测泡沫混凝土的导热系数,与实验结果的对比表明,新的模型可以准确预测泡沫混凝土的导热系数.

关键词: 泡沫混凝土 , 复合材料 , 导热系数 , 无机材料

Fe基体上Ni膜和Cu基体上Ag膜的膜内应力

王姗姗 , 祝要民 , 任凤章 , 赵士阳 , 田保红

材料科学与工程学报

直流电沉积法在Fe基体上制备Ni膜和在Cu基体上制备Ag膜,利用悬臂梁法在线测量了膜中的平均应力,并计算了膜内分布应力,且对膜内平均应力的实验结果与Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子模型理论估算结果进行了对比.结果表明,Fe基体上Ni膜的平均应力和分布应力均为拉应力,而Cu基体上Ag膜的平均应力和分布应力均为压应力.两种膜的内应力均由界面应力引起.对于相同的基体和镀膜,膜内平均内应力的理论估算值与实验值较接近.

关键词: 薄膜 , 内应力 , 悬臂梁法 , 电子理论

基于电子理论Ni基体上电沉积Cu膜内应力研究

任凤章 , 曹轲 , 郑茂盛 , 马战红 , 苏娟华 , 田保红

稀有金属材料与工程

采用电沉积法在Ni基体上制备Cu膜.悬臂梁法在线测量沉积Cu膜后的Ni基片挠度,由测得的挠度值计算出Cu膜内的平均内应力和分布内应力.结果表明,Cu膜内的平均内应力和分布内应力均随膜厚的增加而急剧减小.膜内的界面应力很大,而生长应力很小.基于改进的Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论,对由于界面电子密度调整而引起的Cu膜内平均内应力作出了初步估算.结果表明,理论估算结果与实验结果较接近.这说明理论计算模型具有较高的准确性.

关键词: 薄膜 , 内应力 , 悬臂梁法 , 电子密度 , TFDC电子理论

碳纳米管/聚丙烯腈基复合材料的热导率研究

温伟 , 王彪 , 王华平

材料导报

采用原位聚合法制备了碳纳米管/聚丙烯腈(CNT/PAN)复合材料,用MDSC的测试方法研究了复合材料的热性能,并由此推导了复合材料的热导率.应用Cheng-Vachon、Nielsen-Lewis和Okamoto-Ishida 3种导热理论模型对CNT/PAN复合材料的热导率进行估算.对比实验测试与导热理论模型的计算结果,考虑到碳纳米管在聚合物基体中的分散和取向情况,得出Nielsen-Lewis理论在低填充含量及室温条件下可以较准确地估算无规分散的CNT/PAN复合材料体系的热导率.

关键词: 碳纳米管/聚丙烯腈复合材料 , 导热理论模型 , 热导率 , 比热容

Ag/Cu和Cu/Ni纳米金属多层膜强度软化的理论分析

任凤章 , 陈洁 , 赵士阳 , 马战红 , 王宇飞 , 田保红

材料热处理学报

用电沉积法分别制备了具有不同调制波长的Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜,研究了多层膜的硬度与调制波长之间的关系.结果表明,当调制波长λ>300 nm时,两种多层膜的硬度与调制波长符合位错塞积机制的Hall-Fetch关系,当λ<300 nm时,都偏离了Hall-Fetch关系;Ag/Cu和Cu/Ni多层膜分别在λ=50nm和100nm处取得硬度峰值.基于Cheng等人的电子理论分别求出了Ag,Cu和Ni金属晶体的位错稳定的临界晶粒尺寸,进而定量地解释了Ag/Cu和Cu/Ni金属多层膜硬度峰值位置.

关键词: 多层膜 , Hall-Fetch关系 , 临界晶粒尺寸 , 电子理论

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